晶片化學蝕刻清洗設備

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  WAFER化學自動蝕刻清洗機(1)
本體材質
PVC、PVC防火板...等塑材。
拉門方式
左右拉門。
槽體材質
Quartz、PVDF、PTFE...等塑材。
適用製程
RCA製程、濕蝕刻製程...等適用WAFER: 4”〜8”Si Wafer2” 〜6”砷化稼(Ⅲ-Ⅴ族)Wafer。
適用藥液
SC1、SC2、DHF...等各種酸鹼藥液。
控制方式
IPC監控連線、 PLC程式控制、人機介面操作自動robot操作可依不同清洗製程需求,設定多組清洗流程參數。

 
  WAFER化學自動蝕刻清洗機(2)
本體材質
PP、PVC、PVC防火板...等塑材拉門方式:二段式掀蓋。
槽體材質
PP、PVDF、PTFE、Quartz...等塑材。
適用製程
RCA製程、濕蝕刻製程...等適用WAFER: 4”〜8”Si Wafer2” 〜6”砷化稼(Ⅲ-Ⅴ族)Wafer。
適用藥液
SC1、SC2、NaOH、HF...等各種酸鹼藥液。
控制方式
PLC程式控制、單鍵操作、人機介面操作。


  多槽式手動酸鹼蝕刻清洗機(1)
本體材質
PP、PVC、PVC防火板...等塑材
拉門方式
二段式掀蓋。
槽體材質
PP、PVDF、PTFE、Quartz...等塑材。
適用製程
RCA製程、濕蝕刻製程...等適用WAFER: 4”〜8”Si Wafer2” 〜6”砷化稼(Ⅲ-Ⅴ族)Wafer。
適用藥液
SC1、SC2、NaOH、HF...等各種酸鹼藥液。
控制方式
PLC程式控制、單鍵操作、人機介面操作。


  多槽式手動酸鹼蝕刻清洗機(2)

 
本體材質
PP、PVC、PVC防火板...等塑材。
拉門方式
左右拉門。
槽體材質
PP、PVDF、PTFE、Quartz...等塑材。
適用製程
RCA製程、濕蝕刻製程...等適用WAFER: 4”〜8”Si Wafer2” 〜6”砷化稼(Ⅲ-Ⅴ族)Wafer。
適用藥液
H2SO4、HCL、NaOH、HF...等各種酸鹼藥液。
控制方式
PLC程式控制、單鍵操作、人機介面操作。


  多槽式手動SOLVENT機台

 
本體材質
SUS304、SUS316...等不鏽鋼板。
拉門方式
二段式掀蓋、上下拉門。
槽體材質
SUS304、SUS316、Quartz...等相關材質。
適用製程
PR stripper製程、有機藥液製程...等適用WAFER: 4”〜8”Si Wafer2” 〜6”砷化稼(Ⅲ-Ⅴ族)Wafer。
適用藥液
Solvent去光阻液、IPA、ACE...等各種有機藥液。
控制方式
PLC程式控制、單鍵操作、人機介面操作。
配備CO2自動滅火裝置。


優質的產品和技術服務